參數(shù)資料
型號： FQP24N08
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 80V N-Channel MOSFET
中文描述： 24 A, 80 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 711K
代理商： FQP24N08
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, August 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料
PDF描述
FQP27P06 Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:217uH; Series:CMS; DC Resistance Max:0.02ohm; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Ferrite; Current, It rms:2.85A; Leaded Process Compatible:Yes; Leakage Inductance:1.9uH RoHS Compliant: Yes
FQP27N25 250V N-Channel MOSFET
FQP28N15 150V N-Channel MOSFET
FQP2N30 300V N-Channel MOSFET
FQP2N40 400V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FQP27N25 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP27N25 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 250V 25.5A TO-220 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220
FQP27P06 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP27P06 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220
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