參數(shù)資料
型號(hào)： FQPF18N20V2
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 18 A, 200 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 793K
代理商： FQPF18N20V2
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. B, August 2002
1 0
-5
1 0
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※
N o te s :
1 . Z
θ
2 . D u ty F a c to r, D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J C
(t) = 3 .1
℃
/W M a x .
J C
(t)
s in g le p u ls e
D = 0 .5
0 .0 2
0 .2
0 .0 5
0 .1
0 .0 1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
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-2
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※
N o te s :
1 . Z
θ
J C
(t) = 1 .0 1
℃
/W M a x .
2 . D u ty F a c to r, D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J C
(t)
s in g le p u ls e
D = 0 .5
0 .0 2
0 .2
0 .0 5
0 .1
0 .0 1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FQP18N20V2
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FQPF18N20V2
t
1
P
DM
t
2
t
1
P
DM
t
2
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PDF描述
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FQPF18N50V2 功能描述:MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF18N50V2SDTU 功能描述:MOSFET 500V/18A/.265ohm/NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF18N50V2T 功能描述:MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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