參數(shù)資料
型號(hào)： FQPF8N60CF
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 600V的N溝道MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 759K
代理商： FQPF8N60CF
5
www.fairchildsemi.com
FQPF8N60CF Rev. A
F
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQPF8N60CFT 600V N-Channel MOSFET
FQPF8P10 100V P-Channel MOSFET
FQPF90N08 80V N-Channel MOSFET
FQPF9N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET
FQPF9N50CF 500V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQPF8N60CFT 功能描述:MOSFET N-CH/600V/8A/ QFET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF8N60CT 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF8N60CYDTU 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF8N80C 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF8N80C_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET
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