參數(shù)資料
型號(hào)： FQT13N06L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 60V LOGIC N-Channel MOSFET
中文描述： 2800 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 675K
代理商： FQT13N06L
F
Rev. A, May 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
S
controlled by pulse period
V
DD
L
I
S
Same Type
dv/dt controlled by R
G
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Body Diode
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveform
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQT13N06 60V N-Channel MOSFET
FQT2P25 250V P-Channel MOSFET
FQT3P20 200V P-Channel MOSFET
FQT4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQT4N20 200V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQT13N06LTF 功能描述:MOSFET 60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQT13N06TF 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQT1N60C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm
FQT1N60CTF_WS 功能描述:MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQT1N60CTF-WS 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm
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