參數(shù)資料
型號： FQU10N20C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 7.8 A, 200 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, IPAK-3
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 589K
代理商： FQU10N20C
Rev. A, December 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10 ms
100
μ
s
DC
1 ms
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
※
N otes :
1. Z
θ
JC
(t) = 2.5
℃
/W M ax.
2. D uty F acto r, D = t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u are W a ve P u lse D u ratio n [sec]
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 3.9 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
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PDF描述
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FQU10N20 CAP 6800PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
FQD10N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD11P06 60V P-Channel MOSFET
FQU11P06 60V P-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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FQU10N20L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
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