參數(shù)資料
型號： FQU17N08L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 80V LOGIC N-Channel MOSFET
中文描述： 12.9 A, 80 V, 0.115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 555K
代理商： FQU17N08L
F
Rev. A2, December 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
10
0
10
1
25
℃
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
0
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
※
Notes :
1. V
DS
= 25V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
V
GS
Top : 10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 40V
V
DS
= 64V
※
Note : I
D
= 16.5A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD17N08 GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 30 FT, NON BOOT, WHITE
FQU17N08 80V N-Channel MOSFET
FQD17P06 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-12A的P溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQU17P06 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-12A的P溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQD18N20V2 200V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQU17N08LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU17P06 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P I-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, P, I-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P CH -60V -12A TO-251 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, P CH, -60V, -12A, TO-251; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:44W; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
FQU17P06_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET
FQU17P06TU 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU18N20V2 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
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