參數(shù)資料
型號(hào)： FQU26N03L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流為19.0A的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 19 A, 30 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 9/9頁(yè)
文件大?。?/td> 785K
代理商： FQU26N03L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD2N100 1000V N-Channel MOSFET
FQU2N100 1000V N-Channel MOSFET
FQD2N30 300V N-Channel MOSFET
FQU2N30 300V N-Channel MOSFET
FQD2N40 400V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQU26N03LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU2N100 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:1000V N-Channel MOSFET
FQU2N100TU 功能描述:MOSFET 1000V/1.6A/N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU2N100TULM781 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FQU2N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
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