- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375893 > FQU9N15 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V、漏電流為7.0A的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FQU9N15 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V、漏電流為7.0A的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 7 A, 150 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 764K |
| 代理商： | FQU9N15 |
80
#.
80
40
--9
-:
--9
/
80
40
-5
1-5
44
40
)
8
80
.0
.0
400
44
400
44
40
400
44
.0
40
4
8
4
#01&$
"!#01&$
2$3"!#01&$
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD9N15 | 150V N-Channel MOSFET |
| FQU9N25 | 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為7.4A的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
| FQD9N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FR-159 | FAILURE REPORT |
| FR01010EPL | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQU9N15TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU9N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FQU9N25TU | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU9N25TU_WS | 功能描述:MOSFET 250V 7.4A 0.42OHM N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQVP1002 | 制造商:OMRON AUTOMATION AND SAFETY 功能描述:I/O CABLE FOR FQ-SDU1, 2M |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。