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GL122E5J

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    GL122E5J

    GL122E5J

  • 深圳市軒盛達電子有限公司
    深圳市軒盛達電子有限公司

    聯系人：陳

    電話：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103

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GL122E5J 技術參數
  • GL110KA7B115 功能描述:11μH Unshielded Wirewound Inductor 115mA 7 Ohm Nonstandard 制造商:avx corporation 系列:GL 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:11μH 容差:±10% 額定電流:115mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:7 歐姆 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.182"?長 x 0.072" 方椎體（4.62mm x 1.83mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 標準包裝:1 GL100MN1MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:頂視圖 工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，無引線 標準包裝:1 GL100MN1MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:通用 工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝，直角 封裝/外殼:2-SMD，無引線 標準包裝:1 GL100MN0MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:頂視圖 工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，無引線 標準包裝:1 GL100MN0MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:通用 工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝，直角 封裝/外殼:2-SMD，無引線 標準包裝:1 GL122F35CDT GL122F35CET GL122F35IDT GL122F35IET GL12-HT3-GS08 GL12T-E3-08 GL12T-E3-18 GL12T-G3-08 GL12T-G3-18 GL12T-HE3-08 GL12T-HE3-18 GL12T-HG3-08 GL12T-HG3-18 GL130F23CDT GL130F23CET GL130F23IDT GL130F23IET GL130F33CDT
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