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GP1M010A060FH

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GP1M010A060FH 技術(shù)參數(shù)
  • GP1M009A090N 功能描述:MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 4.75A, 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):65nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2324pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M009A090FH 功能描述:MOSFET N-CH 900V 9A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):65nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2324pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M009A060H 功能描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 4.5A, 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1440pF @ 25V 功率 - 最大值:158W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M009A020FG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):414pF @ 25V 功率 - 最大值:17.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M008A080H 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1921pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP1M012A060H GP1M013A050FH GP1M013A050H GP1M015A050FH GP1M015A050H GP1M016A025CG GP1M016A025FG GP1M016A025HG GP1M016A025PG GP1M016A060F GP1M016A060FH GP1M016A060H GP1M016A060N GP1M018A020CG GP1M018A020FG GP1M018A020HG GP1M018A020PG GP1M020A050N
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