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HYE18M512160AF-7.5

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  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 3057

  • QIMONDA

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  • 22+

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  • 每一片都來自原廠,正品保證

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • QIMONDA

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  • 13+

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  • 全新原裝,現(xiàn)貨,價優(yōu)!

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    HYE18M512160AF-7.5

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 876500

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨!!

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  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 36200

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  • 18+

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  • 原裝正品,歡迎訂購

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  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 36200

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HYE18M512160AF-7.5 技術參數(shù)
  • HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D128800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) HYS72T128000HR-3S-B HYS72T128420HFA-3S-B HYT100 HYT100D HYT15CME HYT30CME HYT50 HYT50CME HYX1 HYX2 HYX3 HYX4 HYX5 HZ0201A601R-11 HZ0402A152R-10 HZ0402A182R-10 HZ0402A601R-00 HZ0402A601R-10
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