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參數資料
| 型號： | HFA3096BZ |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
| 中文描述： | 5 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN AND PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MS-012AC |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-16 |
| 文件頁數： | 4/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 306K |
| 代理商： | HFA3096BZ |
4
FN3076.13
December 21, 2005
Power Gain-Bandwidth Product,
f
MAX
I
C
= 10mA, V
CE
= 5V
-
6
-
-
2.5
-
GHz
Base to Emitter Capacitance
V
BE
= -3V
-
200
-
-
500
-
fF
Collector to Base Capacitance
V
CB
= 3V
-
200
-
-
500
-
fF
Electrical Specifications
T
A
= 25°C
(Continued)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
DIE
SOIC, QFN
UNITS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
Electrical Specifications
T
A
= 25°C
PARAMETER
TEST CONDITIONS
DIE
SOIC, QFN
UNITS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
DC PNP CHARACTERISTICS
Collector to Base Breakdown
Voltage, V
(BR)CBO
I
C
= -100
μ
A, I
E
= 0
10
15
-
10
15
-
V
Collector to Emitter Breakdown
Voltage, V
(BR)CEO
I
C
= -100
μ
A, I
B
= 0
8
15
-
8
15
-
V
Collector to Emitter Breakdown
Voltage, V
(BR)CES
I
C
= -100
μ
A, Base Shorted to Emitter
10
15
-
10
15
-
V
Emitter to Base Breakdown
Voltage, V
(BR)EBO
I
E
= -10
μ
A, I
C
= 0
4.5
5
-
4.5
5
-
V
Collector Cutoff Current, I
CEO
V
CE
= -6V, I
B
= 0
-
2
100
-
2
100
nA
Collector Cutoff Current, I
CBO
V
CB
= -8V, I
E
= 0
-
0.1
10
-
0.1
10
nA
Collector to Emitter Saturation
Voltage, V
CE(SAT)
I
C
= -10mA, I
B
= -1mA
-
0.3
0.5
-
0.3
0.5
V
Base to Emitter Voltage, V
BE
I
C
= -10mA
-
0.85
0.95
-
0.85
0.95
V
DC Forward-Current Transfer
Ratio, h
FE
I
C
= -10mA, V
CE
= -2V
20
60
-
20
60
-
Early Voltage, V
A
I
C
= -1mA, V
CE
= -3.5V
10
20
-
10
20
-
V
Base to Emitter Voltage Drift
I
C
= -10mA
-
-1.5
-
-
-1.5
-
mV/°C
Collector to Collector Leakage
-
1
-
-
1
-
pA
Electrical Specifications
T
A
= 25°C
PARAMETER
TEST CONDITIONS
DIE
SOIC, QFN
UNITS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
DYNAMIC PNP CHARACTERISTICS
Noise Figure
f = 1.0GHz, V
CE
= -5V,
I
C
= -5mA, Z
S
= 50
-
3.5
-
-
3.5
-
dB
f
T
Current Gain-Bandwidth
Product
I
C
= -1mA, V
CE
= -5V
-
2
-
-
2
-
GHz
I
C
= -10mA, V
CE
= -5V
-
5.5
-
-
5.5
-
GHz
Power Gain-Bandwidth
Product
I
C
= -10mA, V
CE
= -5V
-
3
-
-
2
-
GHz
Base to Emitter Capacitance
V
BE
= 3V
-
200
-
-
500
-
fF
Collector to Base Capacitance
V
CB
= -3V
-
300
-
-
600
-
fF
HFA3046, HFA3096, HFA3127, HFA3128
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HFA3127BZ | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
| HFA3127R | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
| HFA3127RZ | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
| HFA3128BZ | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
| HFA3128R | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HFA3096BZ96 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| HFA30PA60C | 功能描述:整流器 600 Volt 2x15 Amp Common Cathode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| HFA30PA60CPBF | 功能描述:DIODE HEXFRED 600V 15A TO247AC RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:HEXFRED® 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
| HFA30PA60CPBF_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:HEXFRED Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A |
| HFA30PB120 | 功能描述:整流器 1200 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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