參數(shù)資料
型號(hào): HFA3102B
廠商: INTERSIL CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: XC95216-20HQ208C - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
中文描述: 6 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MS-012AB
封裝: PLASTIC, SOIC-14
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大小: 54K
代理商: HFA3102B
3-453
Typical Performance Curves
FIGURE 1. I
C
vs V
CE
FIGURE 2. h
FE
vs I
C
FIGURE 3. GUMMEL PLOT
FIGURE 4. f
T
vs I
C
FIGURE 5. GAIN AND NOISE FIGURE vs FREQUENCY
FIGURE 6. P
1dB
AND 3RD ORDER INTERCEPT
V
CE
(V)
I
C
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
I
B
= 150
μ
A
I
B
= 30
μ
A
I
B
= 120
μ
A
I
B
= 60
μ
A
I
B
= 90
μ
A
I
C
(A)
h
F
0
20
40
60
80
100
120
140
10
-10
10
-8
10
-6
10
-4
10
-2
10
0
V
BE
(V)
I
C
B
V
CE
= 3V
10
0
10
-2
10
-4
10
-6
10
-8
10
-10
10
-12
0.4
0.6
0.8
1.0
f
T
I
C
(A)
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
12
10
8
6
4
2
0
V
CE
= 5V
N
FREQUENCY (GHz)
|
2
|
4.8
4.6
4.4
4.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
20
18
14
12
10
8
6
4
16
-30
-20
-10
0
10
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
V
CE
= 5V
I
C
= 10mA
f = 1GHz
P
IN
, INPUT POWER (dBm)
P
O
,
3RD ORDER PRODUCTS
3rd ORDER INTERCEPT POINT
1dB COMPRESSION POINT
HFA3102
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PDF描述
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參數(shù)描述
HFA3102B96 功能描述:IC TRANS ARRAY DUAL NPN 14-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
HFA3102BZ 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 14 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA3102BZ96 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 15 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA3127 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Ultra High Frequency Transistor Array
HFA3127/883 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Ultra High Frequency Transistor Array