參數(shù)資料
型號： HFA3127
廠商： Intersil Corporation
英文描述： XC95216-20PQ160C - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
中文描述： 超高頻晶體管陣列
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： HFA3127
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and design information only. No guarantee is implied.
6
Electrical Specifications
at T
A
= +25
o
C
PARAMETERS
TEST CONDITIONS
TYP
UNITS
Noise Figure
f = 1.0GHz, V
CE
= 5V, I
C
= 5mA, Z
S
= 50
I
C
= 1mA, V
CE
= 5V
I
C
= 10mA, V
CE
= 5V
I
C
= 10mA, V
CE
= 5V
3.5
dB
f
T
Current Gain-Bandwidth Product
5.5
GHz
8
GHz
Power Gain-Bandwidth Product, f
MAX
Collector-to-Collector Leakage
2.5
GHz
1
pA
Collector-to-Base Capacitance
0V, 1MHz
1.6
pF
Base-to-Emitter Capacitance
0V, 1MHz
2.2
pF
Collector-to-Emitter Capacitance
0V, 1MHz
1.9
pF
NOTE: Package interlead capacitance is taken into account for all capacitance measurements.
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NPN COLLECTOR CURRENT vs COLLECTOR TO
EMITTER VOLTAGE
FIGURE 2. NPN COLLECTOR AND BASE CURRENTS vs BASE
TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 3. NPN DC CURRENT GAIN vs COLLECTOR
CURRENT
FIGURE 4. NPN GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs COLLECTOR
CURRENT (UHF 3 x 50 WITH BOND PADS)
I
B
= 200
μ
A
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
I
B
= 160
μ
A
I
B
=120
μ
A
I
B
= 80
μ
A
I
B
= 40
μ
A
1
2
3
4
5
0
25
20
15
10
5
C
I
B
BASE TO EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE
= 3V
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
100m
10m
1m
100
μ
C
I
C
0.5
10
μ
1
μ
100n
10n
1n
A
COLLECTOR CURRENT (A)
V
CE
= 3V
160
140
120
D
1
μ
100
80
60
40
20
0
10
μ
100
μ
1m
10m
100m
COLLECTOR CURRENT (mA)
V
CE
= 1V
1.0
10
100
10.0
8.0
6.0
G
0.1
V
CE
= 5V
V
CE
= 3V
4.0
2.0
0
DESIGN INFORMATION
February 1995
HFA3127
Ultra High Frequency Transistor Array
Spec Number
511120
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
HFA3127/883 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Ultra High Frequency Transistor Array
HFA3127B 功能描述:IC TRANSISTOR ARRAY NPN 16-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
HFA3127B96 功能描述:IC TRANS ARRAY NPN 16-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
HFA3127BZ 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA3127BZ 制造商:Intersil Corporation 功能描述:TRANSISTOR ARRAY
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