參數(shù)資料
型號(hào)： HFA3127R
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Ultra High Frequency Transistor Arrays
中文描述： 5 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MO-220VEED-2
封裝： 3 X 3 MM, PLASTIC, QFN-16
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
文件大?。?/td> 306K
代理商： HFA3127R
8
FN3076.13
December 21, 2005
1.3E+09
0.29
-133.46
3.49
99.14
5.06E-02
20.70
0.32
-47.95
1.4E+09
0.29
-136.33
3.25
97.67
5.09E-02
20.11
0.31
-47.77
1.5E+09
0.28
-138.89
3.05
96.33
5.12E-02
19.65
0.30
-47.58
1.6E+09
0.28
-141.17
2.87
95.10
5.15E-02
19.29
0.29
-47.39
1.7E+09
0.28
-143.21
2.70
93.96
5.18E-02
19.01
0.28
-47.23
1.8E+09
0.28
-145.06
2.56
92.90
5.21E-02
18.80
0.27
-47.09
1.9E+09
0.27
-146.73
2.43
91.90
5.23E-02
18.65
0.27
-46.98
2.0E+09
0.27
-148.26
2.31
90.95
5.26E-02
18.55
0.26
-46.91
2.1E+09
0.27
-149.65
2.20
90.05
5.28E-02
18.49
0.26
-46.87
2.2E+09
0.27
-150.92
2.10
89.20
5.30E-02
18.46
0.25
-46.87
2.3E+09
0.27
-152.10
2.01
88.37
5.33E-02
18.47
0.25
-46.90
2.4E+09
0.27
-153.18
1.93
87.59
5.35E-02
18.50
0.25
-46.97
2.5E+09
0.27
-154.17
1.86
86.82
5.38E-02
18.55
0.24
-47.07
2.6E+09
0.26
-155.10
1.79
86.09
5.40E-02
18.62
0.24
-47.18
2.7E+09
0.26
-155.96
1.72
85.38
5.42E-02
18.71
0.24
-47.34
2.8E+09
0.26
-156.76
1.66
84.68
5.45E-02
18.80
0.24
-47.55
2.9E+09
0.26
-157.51
1.60
84.01
5.47E-02
18.91
0.24
-47.76
3.0E+09
0.26
-158.21
1.55
83.35
5.50E-02
19.03
0.23
-48.00
Common Emitter S-Parameters of PNP 3
μ
m x 50
μ
m Transistor
(Continued)
FREQ. (Hz)
|S
11
|
PHASE(S
11
)
|S
21
|
PHASE(S
21
)
|S
12
|
PHASE(S
12
)
|S
22
|
PHASE(S
22
)
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NPN COLLECTOR CURRENT vs COLLECTOR TO
EMITTER VOLTAGE
FIGURE 2. NPN COLLECTOR CURRENT AND BASE
CURRENT vs BASE TO EMITTER VOLTAGE
I
B
= 200
μ
A
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
I
B
= 160
μ
A
I
B
=120
μ
A
I
B
= 80
μ
A
I
B
= 40
μ
A
1
2
3
4
5
0
25
20
15
10
5
C
I
B
BASE TO EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE
= 3V
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
100m
10m
1m
100
μ
C
I
C
0.5
10
μ
1
μ
100n
10n
1n
A
HFA3046, HFA3096, HFA3127, HFA3128
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HFA3127RZ 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA3127RZ96 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA3128 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Ultra High Frequency Transistor Arrays
HFA3128B 功能描述:IC TRANSISTOR ARRAY PNP 16-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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