型號(hào): | HGT1N40N60A4D |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
中文描述: | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | ISOTOP-4 |
文件頁(yè)數(shù): | 7/10頁(yè) |
文件大?。?/td> | 152K |
代理商: | HGT1N40N60A4D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
HGT1S10N120BNS | 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT(35A, 1200V,NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
HGTP10N120BN | 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
HGTP10N120BN | 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
HGT1S12N60A4DS | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode(600V,SMPS系列 N溝道絕緣柵雙極型晶體管(帶反并行超快速二極管)) |
HGTG12N60A4D | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode(600V,SMPS系列 N溝道絕緣柵雙極型晶體管(帶反并行超快速二極管)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
HGT1S020N35G3VL | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
HGT1S10N120BNS | 功能描述:IGBT 晶體管 35A 1200V NPT N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
HGT1S10N120BNS9A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 17A I(C) | TO-263AB |
HGT1S10N120BNST | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
HGT1S11N120CNS | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |