參數(shù)資料
型號(hào)： HGT1S14N36G3VLS
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： DIODE ZENER SINGLE 500mW 39Vz 3.2mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 32Vr DO35-GLASS 5K/AMMO
中文描述： 18 A, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： LEAD FREE, TO-263AB, 2 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 224K
代理商： HGT1S14N36G3VLS
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTP14N36G3VL, HGT1S14N36G3VL, HGT1S14N36G3VLS Rev. B
FIGURE 15. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE, JUNCTION TO CASE
FIGURE 16. BREAKDOWN VOLTAGE AS A FUNCTION OF
GATE-EMITTER RESISTANCE
Test Circuits
FIGURE 17. SELF CLAMPED INDUCTIVE SWITCHING
CURRENT TEST CIRCUIT
FIGURE 18. CLAMPED INDUCTIVE SWITCHING TIME
TEST CIRCUIT
Typical Performance Curves
(Continued)
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
0.02
0.05
0.5
Z
θ
J
,
0.2
0.1
0.01
t
1
t
2
PD
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
SINGLE PULSE
R
GE
, GATE-TO- EMITTER RESISTANCE (
)
0
2000
4000
6000
8000
10000
325
330
335
340
345
350
355
B
C
,
25
o
C
175
o
C
B
R
G
G
C
E
V
DD
2.3mH
DUT
R
GEN
= 25
5V
R
GEN
= 50
+
-
V
CC
300V
DUT
10V
C
G
E
R
GE
= 50
1/R
G
= 1/R
GEN
+ 1/R
GE
L = 550
μ
H
R
L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTP14N37G3VL TRANSISTOR PNP BIPOLAR 45V SOT23
HGT1S14N37G3VLS9A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 380V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB
HGT1S14N37G3VLS TRANS PNP BIPOLAR 45V SOT323
HGTP14N40F3VL 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP14N40F3VL 14A, 400V N-Channel, Logic Level Voltage Clamping IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGT1S14N36G3VLS9A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 390V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB
HGT1S14N36G3VLT 功能描述:IGBT 晶體管 14a 380V Logic Level RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT1S14N36G3VLT_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
HGT1S14N37G3VLS 功能描述:IGBT 晶體管 14A 370V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT1S14N37G3VLS9A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 380V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB
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