參數(shù)資料
型號： HGT1S2N120CNS
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： XC9536-7VQ44C - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
中文描述： 13 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 498K
代理商： HGT1S2N120CNS
7
www.fairchildsemi.com
HGTP2N120CN, HGT1S2N120CN Rev. C
H
Test Circuit and Waveforms
(Continued)
Figure 18. Inductive Switching Test Circuit
Figure 19. Switching Test Waveforms
R
G
= 51
L = 5mH
V
DD
= 960V
+
-
RHRD4120
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTP2N120BN 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP2N120BND 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP2N120CN 13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGT1S2N120CNDS 13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGT1S2N120CNS 13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGT1S2N120CNS9A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB
HGT1S3N60A4DS 功能描述:IGBT 晶體管 TO-263 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT1S3N60A4DS9A 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT1S3N60A4S 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGT1S3N60A4S9A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*