參數(shù)資料
型號(hào)： HGTP2N120CNS
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： 13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
中文描述： 第13A條，1200伏，不擴(kuò)散核武器條約系列N溝道IGBT的
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大小： 498K
代理商： HGTP2N120CNS
6
www.fairchildsemi.com
HGTP2N120CN, HGT1S2N120CN Rev. C
H
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 13. Transfer Characteristic
Figure 14. Gate Charage Waveforms
Figure 15. Capacitance vs Collector to Emitter
Figure 16. Collector to Emitter On-Sate Voltage
Figure 17. Normalized Transient Thermal Response, Junction to Case
I
C
,
0
5
10
15
13
7
8
9
10
12
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
11
20
25
30
14
15
35
T
C
= 150
o
C
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
40
250
μ
S PULSE TEST
DUTY CYCLE <0.5%, V
CE
= 20V
V
G
,
Q
G
, GATE CHARGE (nC)
14
16
30
25
20
10
12
15
10
5
0
8
6
4
2
0
V
CE
= 1200V
V
CE
= 400V
V
CE
= 800V
I
G(REF)
= 1mA, R
L
= 260
, T
C
= 25
o
C
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
5
10
15
20
25
0
0.5
C
IES
C
OES
1.0
C
RES
FREQUENCY = 1MHz
C
1.5
2.0
I
C
,
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
1
2
3
4
5
V
GE
= 10V
V
GE
= 15V
DUTY CYCLE <0.5%, T
C
= 110
o
C
250
μ
s PULSE TEST
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
SINGLE PULSE
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
t
1
t
2
P
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGT1S5N120BNS XC9536-7VQ44I - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGT1S5N120CNS 25A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGT1S5N120CNDS 25A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTP5N120BN 21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs(21A, 1200V NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HGTP3N60A4_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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HGTP3N60A4D9A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTP3N60B3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
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