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IS43DR82560B-3DBLI

配單專家企業(yè)名單
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  • IS43DR82560B-3DBLI
    IS43DR82560B-3DBLI

    IS43DR82560B-3DBLI

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售部:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 369

  • ISSI, Integrated Silicon

  • 60-TWBGA

  • 23+

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  • 真實的資源竭誠服務您!

  • IS43DR82560B-3DBLI
    IS43DR82560B-3DBLI

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖先生

    電話:13612973190

    地址:廣東省深圳市華強北上航大廈西座410室

  • 9000

  • ISSI

  • 60-TFBGA

  • 22+

  • -
  • 原廠渠道,現(xiàn)貨配單

  • IS43DR82560B-3DBLI
    IS43DR82560B-3DBLI

    IS43DR82560B-3DBLI

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ISSI, Integrated Silicon

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十

  • IS43DR82560B-3DBLI
    IS43DR82560B-3DBLI

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  • 萬三科技(深圳)有限公司
    萬三科技(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:王小康

    電話:181886423070755-21006672

    地址:深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C

  • 6500000

  • ISSI, Integrated Silicon

  • 原廠原裝

  • 22+

  • -
  • 萬三科技 秉承原裝 實單可議

  • IS43DR82560B-3DBLI
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  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 36200

  • ISSI

  • FBGA

  • 18+

  • -
  • 原裝正品,歡迎訂購

  • IS43DR82560B-3DBLI
    IS43DR82560B-3DBLI

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  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

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IS43DR82560B-3DBLI PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
IS43DR82560B-3DBLI 技術(shù)參數(shù)
  • IS43DR81280C-3DBLI 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:1G(128M x 8) 速度:333MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA(10.5x8) 標準包裝:50 IS43DR81280C-3DBL 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:1G(128M x 8) 速度:333MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) 封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA(10.5x8) 標準包裝:50 IS43DR81280C-25DBLI 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:1G(128M x 8) 速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA(10.5x8) 標準包裝:50 IS43DR81280C-25DBL 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:1G(128M x 8) 速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) 封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA(10.5x8) 標準包裝:50 IS43DR81280B-3DBL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43DR86400C-25DBL-TR IS43DR86400C-3DBI IS43DR86400C-3DBI-TR IS43DR86400C-3DBL IS43DR86400C-3DBLI IS43DR86400C-3DBLI-TR IS43DR86400C-3DBL-TR IS43DR86400D-25DBLI IS43DR86400D-25DBLI-TR IS43DR86400D-3DBI IS43DR86400D-3DBI-TR IS43DR86400D-3DBLI IS43DR86400D-3DBLI-TR IS43DR86400E-25DBL IS43DR86400E-25DBLI IS43DR86400E-25DBLI-TR IS43DR86400E-3DBL IS43DR86400E-3DBLI
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