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IX2B112P7

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IX2B112P7 技術參數(shù)
  • IX2A11S1T/R 功能描述:功率驅動器IC 2 Amps 35V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IX2A11S1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 IX2A11P1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 IX2204NE 功能描述:IC IGBT GATE DVR DUAL 16SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 驅動配置:低壓側 通道類型:獨立式 驅動器數(shù):2 柵極類型:IGBT 電壓 - 電源:-10 V ~ 25 V 邏輯電壓?- VIL,VIH:0.8V,2V 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,4A 輸入類型:非反相 高壓側電壓 - 最大值(自舉):- 上升/下降時間(典型值):-,8ns 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:50 IX21844N 功能描述:IC GATE DVR HALF 600V 14SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 驅動配置:半橋 通道類型:同步 驅動器數(shù):2 柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL,VIH:0.8V,2V 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.4A,1.8A 輸入類型:非反相 高壓側電壓 - 最大值(自舉):600V 上升/下降時間(典型值):23ns,14ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:14-SOIC 標準包裝:50 IX2R11M6 IX2R11M6T/R IX2R11P7 IX2R11S3 IX2R11S3T/R IX3120G IX3120GE IX3120GES IX3120GESTR IX3120GS IX3120GSTR IX3180G IX3180GS IX3180GSTR IX40G-A-10S-CV(7.0) IX4340NE IX4423MTR IX4423N
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