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IXGR48N60B3D1
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：何芝
電話(huà)：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
2855
IXYS
ROHS
1223+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫(kù)存！400-800-03...

IXGR48N60B3D1
深圳市琦凌凱科技有限公司
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電話(huà)：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
IXYS/艾賽斯
ISOPLUS247
22+
-
十年配單，只做原裝

IXGR48N60B3D1
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
IXYS
ISOPLUS247
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

IXGR48N60B3D1
深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司
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聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話(huà)：0755-88608801多線(xiàn)17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
9600
IXYS
TO-247MAX
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

IXGR48N60B3D1
深圳市華芯源電子有限公司
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聯(lián)系人：張小姐
電話(huà)：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
52388
IXYS/艾賽斯
TO-247IU
24+
-
原裝正品華強(qiáng)現(xiàn)貨

IXGR48N60B3D1
深圳市新良宇電子有限公司
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聯(lián)系人：李先生
電話(huà)：0755-8323763213302457603
地址：福田區(qū)振興路華勻大廈221室
56912
IXYS
IGBT 600V FRD ISOPLU
23+
-
原裝現(xiàn)貨歡迎來(lái)電查詢(xún)！

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功能描述
IGBT 晶體管 48 Amps 600V 1.7 Rds
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

IXGR48N60B3D1 技術(shù)參數(shù)

IXG611S1T/R 功能描述:IGBT 晶體管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube IXG611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類(lèi)型:非反相延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱(chēng):*IR2127 IXG611P1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-PDIP RoHS:是類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類(lèi)型:非反相延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱(chēng):*IR2127 IXF6401BEC7A1835148 功能描述:IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA RoHS:否類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 接口 - 電信系列:- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 06/Feb/2012 標(biāo)準(zhǔn)包裝:750 系列:* IXF611S1T/R 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXGR50N60C2D1 IXGR50N90B2D1 IXGR55N120A3H1 IXGR60N60B2 IXGR60N60B2D1 IXGR60N60C2 IXGR60N60C2D1 IXGR60N60C2G1 IXGR60N60C3C1 IXGR60N60C3D1 IXGR60N60U1 IXGR6N170A IXGR72N60A3H1 IXGR72N60B3H1 IXGR72N60C3D1 IXGR80N60B IXGT10N170 IXGT10N170A

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