IR2153D

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型號
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說明
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功能描述
IC HALF BRIDGE DRIVER W/DIO 8DIP
RoHS
否
類別
集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
系列
-
配置
高端
輸入類型
非反相
延遲時間
200ns
電流 - 峰
250mA
配置數(shù)
1
輸出數(shù)
1
高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）
600V
電源電壓
12 V ~ 20 V
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
8-DIP
包裝
管件
其它名稱
*IR2127

IR2153D 技術(shù)參數(shù)

IR21531STRPBF 功能描述:功率驅(qū)動器IC HALF BRDG DRVR 600V 15.6Vclamp 0.6 RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IR21531STR 功能描述:IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 IR21531SPBF 功能描述:功率驅(qū)動器IC HALF BRDG DRVR 600V 15.6Vclamp 0.6 RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IR21531S 功能描述:IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件 IR21531PBF 功能描述:功率驅(qū)動器IC HALF BRDG DRVR 600V 15.6Vclamp 0.6 RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IR2156 IR2156PBF IR2156S IR2156SPBF IR2156STR IR2156STRPBF IR21571 IR21571PBF IR21571S IR21571SPBF IR21571STR IR21571STRPBF IR2159 IR21591 IR21592 IR21592PBF IR21592S IR21592SPBF