IRF6665

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

IRF6665
深圳市華金瑞電子有限公司
深圳市華金瑞電子有限公司
聯(lián)系人：劉
電話：15323844149
地址：中航路華強(qiáng)電子世界三店佳和電子市場
29000
IR
QFM
06
-
100%原裝！優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存

IRF6665TRPBF
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原裝正品

IRF6665
深圳市正永電子有限公司
深圳市正永電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-23930354
地址：中航路都會軒3607
9800
Infineon Technologies
DIRECTFET? SH
19+
-
代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

IRF6665
甄芯網(wǎng)
甄芯網(wǎng)
聯(lián)系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
20030
IR原裝
QFN
06+
-
全新原裝

IRF6665TRPBF
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
4800
INFINEON
主營優(yōu)勢
1846
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

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功能描述
MOSFET DIGITAL AUDIO 100V 1 N-CH HEXFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

IRF6665 技術(shù)參數(shù)

IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1850pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF640 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1560pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF630FP 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF630 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF620 功能描述:MOSFET N-CH 200V 6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 IRF6678TR1 IRF6678TR1PBF IRF6678TRPBF IRF6691TR1 IRF6691TR1PBF IRF6691TRPBF IRF6702M2DTR1PBF IRF6702M2DTRPBF IRF6706S2TR1PBF IRF6706S2TRPBF IRF6708S2TR1PBF IRF6708S2TRPBF IRF6709S2TR1PBF IRF6709S2TRPBF IRF6710S2TR1PBF IRF6710S2TRPBF IRF6711STR1PBF IRF6711STRPBF