IXDN602SI

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功能描述
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
RoHS
是
類別
集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)
系列
-
標準包裝
95
系列
-
配置
半橋
輸入類型
PWM
延遲時間
25ns
電流 - 峰
1.6A
配置數(shù)
1
輸出數(shù)
2
高端電壓 - 最大（自引導啟動）
118V
電源電壓
9 V ~ 14 V
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
8-SOIC
包裝
管件
產(chǎn)品目錄頁面
1282 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M

IXDN602SI 技術(shù)參數(shù)

IXDN602PI 功能描述:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立輸入類型:非反相延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDN602D2TR 功能描述:IC GATE DVR 2A DUAL HS 8DFN RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件 IXDN514SIAT/R 功能描述:功率驅(qū)動器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDN514SIA 功能描述:功率驅(qū)動器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDN514PI 功能描述:功率驅(qū)動器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDN609CI IXDN609PI IXDN609SI IXDN609SIA IXDN609SIATR IXDN609SITR IXDN609YI IXDN614CI IXDN614PI IXDN614SI IXDN614SITR IXDN614YI IXDN630CI IXDN630MCI IXDN630MYI IXDN630YI IXDN75N120 IXDP20N60B