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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBIS4-6600 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | High resolution 6.6 M Pixel Rolling shutter CMOS Image sensor |
| 中文描述： | 高像素分辨率6.6米，卷簾門的CMOS圖像傳感器 |
| 文件頁數(shù)： | 48/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 1286K |
| 代理商： | IBIS4-6600 |
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IBIS4-6600
Datasheet
6.2 Bonding pads
Cypress Semiconductor Corporation
Contact: info@Fillfactory.com Document #: 38-05708 Rev.**(Revision 1.3 ) Page 48 of 63
3901 North First Street
San Jose, CA 95134
408-943-2600
The pad size is 100
μ
m by 100
μ
m.
Every pin has double bonding pads, one for bonding, the other for wafer probing:
-
Horizontal pads on the top and bottom:
o
Horizontal pitch is 537.5
μ
m.
o
Left pad for wafer probing on the bottom, right pad on the top.
o
Right pad for bonding on the bottom, left pad on the top.
-
Vertical pads on the left and the right:
o
Vertical pitch is 715
μ
m.
o
Upper pad is for wafer probing on the right, lower pad on the left.
o
Lower pad is for bonding on the right, upper pad on the left.
The origin of all coordinates in the tables is located in the centre of the pad at pin
location 1. The distance between the centre of the probe pad and the centre of the
bonding pad of the same pin equals 120
μ
m.
6.2.1 Probe pad positions
Table 18 shows the position of the pads for wafer probing.
Table 18: Probe pad positions
Probe pad
Pin
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
X (μm)
Y (μm)
Pin
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
X (μm)
Y (μm)
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
9010.1
9010.1
9010.1
9010.1
9010.1
9010.1
9010.1
9010.1
9010.1
8865.05
8327.55
7790.05
7252.55
6715.05
6177.55
5640.05
5102.55
4565.05
4027.55
3490.05
-120
595
1310
2025
2740
3455
4170
4885
5600
-715
-1430
-2145
-2860
-3575
-4290
-5005
-5720
-5985.05
-5985.05
-5985.05
-5985.05
-5985.05
-5985.05
-5985.05
-5985.05
-5985.05
-5985.05
-5985.05
145.05
682.55
1220.05
1757.55
2295.05
2832.55
3370.05
3907.55
4445.05
4982.55
5520.05
5865.05
5865.05
5865.05
5865.05
5865.05
5865.05
5865.05
5865.05
5865.05
5865.05
5865.05
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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