參數(shù)資料
型號： IBM11E8480BG
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 8M x 36 ECC-on-SIMM（single in-line memory module）(8M x 36 片上帶可兼容的糾錯代碼的單列動態(tài)RAM模塊)
中文描述： 8米× 36 ECC的問題，上海藥物研究所（單列直插式內(nèi)存模塊）（8米× 36片上帶可兼容的糾錯代碼的單列動態(tài)內(nèi)存模塊）
文件頁數(shù)： 5/18頁
文件大小： 242K
代理商： IBM11E8480BG
IBM11D8480BG
IBM11E8480BG
8M x 36 ECC-on-SIMM
26H2528
Revised 10/98
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Load Diagram
Recommended DC Operating Conditions
(T
C
= 0 to 65
°
C)
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
Notes
V
CC
Supply Voltage
4.75
5.0
5.25
V
1
V
IH
Input High Voltage
2.4
—
V
CC
V
1
V
IL
Input Low Voltage
0.0
—
0.8
V
1
1. All voltages referenced to V
SS
.
Capacitance
(T
C
= 0 to +65
°
C, V
CC
= 5.0
±
0.25V)
Symbol
Parameter
Max
Units
C
I1
Input Capacitance (A0-A10)
161
pF
C
I2
Input Capacitance (RAS)
70
pF
C
I3
Input Capacitance (CAS)
70
pF
C
I4
Input Capacitance (WE)
35
pF
C
I/O1
Output Capacitance (DQ0-DQ34)
12
pF
C
I/O2
Output Capacitance (PQ8, 17, 26, 35)
12
pF
Output
1.31 V
5.0 V
Output
RL = 436 ohms
RL1 = 1656 ohms
CL = 100 pF
CL = 100 pF
RL2 = 590 ohms
Load Circuit
Alternate Load Circuit
.
.
Discontinued (7/00 - last order; 9/00 - last ship)
相關PDF資料
PDF描述
IBM11D8480BG 8M x 36 ECC-on-SIMM（single in-line memory module）(8M x 36 片上帶可兼容的糾錯代碼的單列動態(tài)RAM模塊)
IBM11M2640HB 2M x 64 DRAM Module(2M x 64 動態(tài)RAM模塊)
IBM11M2640H 2M x 64 DRAM Module(2M x 64 動態(tài)RAM模塊)
IBM11M2730HB 2M x 72 DRAM Module(2M x 72 動態(tài)RAM模塊)
IBM11M2730H 2M x 72 DRAM Module(2M x 72 動態(tài)RAM模塊)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IBM14H5481 制造商:AVED Memory Products 功能描述:
IBM14H5540 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述:
IBM17R8251 制造商:AVED Memory Products 功能描述:
IBM17R8252 制造商:AVED Memory Products 功能描述:
IBM1805T 制造商:Schneider Electric 功能描述:IBM1805T
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