- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379204 > IBM11M4735HB (IBM Microeletronics) 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動態(tài)RAM模塊) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IBM11M4735HB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 4米× 72內(nèi)存（4米× 72動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 18/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 516K |
| 代理商： | IBM11M4735HB |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當(dāng)前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
IBM11M4735HB
4M x 72 DRAM MODULE
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 18 of 27
75H5409
GA14-4639-00
Revised 11/96
EDO Page Mode Early Write Cycle
t
HCAS
t
RP
RAS
Row
Address
WE
Column 1
Column 2
Column N
Data In 1
Data In 2
Data In N
t
ASR
t
RAH
t
CAH
t
WCH
t
DH
D
IN
t
RASP
t
RSH
t
HCAS
t
HCAS
t
HPC
t
RAD
t
ASC
t
ASC
t
CSH
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
WCH
t
WCS
t
WCH
t
WCS
t
WCS
t
DS
t
DS
t
DH
t
DH
t
DS
: “H” or “L”
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
WP
t
WP
OE = Don’t care
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
RCD
t
CP
t
CP
t
CRP
CAS
t
WRP
NOTE 1
t
WRH
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
t
RAL
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM11M8730C | 8M x 72 DRAM Module(8M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11M8730CB | 8M x 72 DRAM Module(8M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11M8735C | 8M x 72 DRAM Module(8M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11M8735CB | 8M x 72 DRAM Module(8M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11M8735H | 8M x 72 DRAM Module(8M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM14H5481 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM14H5540 | 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8251 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8252 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM1805T | 制造商:Schneider Electric 功能描述:IBM1805T |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。