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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBM11M4735HB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 4米× 72內(nèi)存（4米× 72動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/28頁(yè) |
| 文件大小： | 516K |
| 代理商： | IBM11M4735HB |
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IBM11M4735HB
4M x 72 DRAM MODULE
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 20 of 27
75H5409
GA14-4639-00
Revised 11/96
EDO Page Mode Read Modify Write Cycle
Address
RAS
WE
OE
D
OUT
D
IN
D
IN
D
IN
t
RP
t
CP
t
CP
t
ASR
t
RAD
t
RAH
t
CAH
t
ASC
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
WP
t
CWL
t
WP
t
RCS
t
RCS
t
WP
t
CWL
t
RWL
t
CAC
t
OEH
t
OEH
t
OEH
D
OUT
D
OUT
t
CLZ
t
CLZ
t
ODD
t
ODD
t
DH
t
DH
t
CLZ
t
ODD
t
DH
D
IN
D
OUT
: “H” or “L”
Hi-Z
Hi-Z
t
RASP
t
CAS
t
HPRWC
t
CAS
t
RAL
t
AWD
t
CWD
t
AA
t
CPA
t
AA
t
AWD
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CWD
t
RCS
t
RAC
t
AA
t
OEA
t
OEA
t
CAC
t
CAC
t
OEA
t
OEZ
t
OEZ
t
DS
t
DS
t
DS
Column 1
Row
Column 2
Column N
t
CSH
t
OEZ
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
t
RCD
t
CAS
t
CRP
t
CPA
CAS
t
WRP
NOTE 1
t
WRH
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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