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參數(shù)資料
| 型號： | IBM11M8735C |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 8M x 72 DRAM Module(8M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 8米× 72內(nèi)存（8米× 72動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 20/29頁 |
| 文件大小： | 597K |
| 代理商： | IBM11M8735C |
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IBM11M8735C
IBM11M8735CB
8M x 72 DRAM MODULE
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 20 of 28
50H8010
SA14-4635-04
Revised 12/96
EDO Page Mode Late Write Cycle
t
HCAS
t
RP
RAS
Row
Address
WE
Column 1
Column 2
Column N
OE
Data In 1
Data In 2
Data In N
t
ASR
t
RAH
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ASC
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ASC
t
ASC
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CAH
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CAH
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IN
: “H” or “L”
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Hi-Z
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RCD
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CP
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CP
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CRP
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RAD
t
RCS
t
RCS
t
RCS
t
RWL
CAS
t
WRP
NOTE 1
t
WRH
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 - last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM11M8735CB | 8M x 72 DRAM Module(8M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11M8735H | 8M x 72 DRAM Module(8M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11M8845HB | 8M x 72 Chipkill Correct DRAM Module(8M x 72 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的168腳8位動態(tài)RAM模塊（帶信號糾錯系統(tǒng)）) |
| IBM11N1645L | 1M x 64 DRAM Module(1M x 64 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N1735Q | 1M x 72 DRAM Module(1M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IBM14H5540 | 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8251 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8252 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM1805T | 制造商:Schneider Electric 功能描述:IBM1805T |
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