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參數(shù)資料
| 型號： | IBM11M8735CB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 8M x 72 DRAM Module(8M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 8米× 72內(nèi)存（8米× 72動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 18/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 597K |
| 代理商： | IBM11M8735CB |
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IBM11M8735C
IBM11M8735CB
8M x 72 DRAM MODULE
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 18 of 28
50H8010
SA14-4635-04
Revised 12/96
EDO Page Mode Read Cycle (WE Control)
t
RP
Data Out 1
Data Out 2
OE
WE
RAS
Row
Address
Column 1
Column 2
Column N
t
OEA
t
OEZ
t
CLZ
t
CAC
V
IH
V
IL
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
ASC
t
CAH
t
CAH
t
CAH
D
OUT
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RASP
t
CPRH
t
CRP
t
RSH
t
HCAS
t
HCAS
t
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t
ASC
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RAD
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RCS
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CAC
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CPA
t
CPA
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AA
t
AA
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RAC
t
AA
Hi-Z
: “H” or “L”
t
RAL
V
IH
V
IL
V
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IL
V
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IL
V
IH
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V
OH
V
OL
t
RCD
t
CP
t
CP
t
RRH
t
RCH
t
CAC
Data Out N
t
OFF
CAS
t
WRP
NOTE 1
t
WRH
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
t
OES
t
HCAS
t
WPZ
t
WPZ
t
RCH
t
RCS
t
RCS
t
RCH
t
WHZ
t
WHZ
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 - last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM11M8735H | 8M x 72 DRAM Module(8M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11M8845HB | 8M x 72 Chipkill Correct DRAM Module(8M x 72 工業(yè)標準的168腳8位動態(tài)RAM模塊（帶信號糾錯系統(tǒng)）) |
| IBM11N1645L | 1M x 64 DRAM Module(1M x 64 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N1735Q | 1M x 72 DRAM Module(1M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N16845BB | 16M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(16M x 72 帶糾錯代碼保護的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM14H5481 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM14H5540 | 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8251 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8252 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM1805T | 制造商:Schneider Electric 功能描述:IBM1805T |
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