參數(shù)資料
型號(hào)： IBM11N16845CB
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 16M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(16M x 72 帶糾錯(cuò)代碼保護(hù)的小外形雙列直插動(dòng)態(tài)RAM模塊)
中文描述： 1,600 × 72片，殺死保護(hù)ECC的上內(nèi)存模塊（1,600 × 72帶糾錯(cuò)代碼保護(hù)的小外形雙列直插動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊）
文件頁(yè)數(shù)： 12/29頁(yè)
文件大小： 502K
代理商： IBM11N16845CB
IBM11N16845BB
IBM11N16845CB
16M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module
Preliminary
IBM Corporation. All rights reserved.
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75H5487
GA14-4642-00
Revised 11/96
Timing Diagrams
Read Cycle
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Address
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
OE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
D
OUT
V
OH
V
OL
D
IN
Row
Column
Valid Data Out
t
RAS
t
RP
t
RC
t
CAS
t
CSH
t
CRP
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
ASR
t
RAD
t
RCS
t
DZC
t
CLZ
t
CAC
t
RAC
Hi-Z
Hi-Z
t
RRH
: “H”: or “L”
t
RCD
t
OEZ
Hi-Z
t
RSH
t
RAL
t
DZO
t
AA
t
OEA
CAS
t
ODD
t
CDD
t
RCH
t
OFF
t
WRP
t
WRH
NOTE 1
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
t
OES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBM11N2645H 2M x 64 DRAM Module(2M x 64 動(dòng)態(tài)RAM模塊)
IBM11N2735H 2M x 72 DRAM Module(2M x 72 動(dòng)態(tài)RAM模塊)
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IBM11N4645CB 4M x 64 DRAM Module(4M x 64 動(dòng)態(tài)RAM模塊)
IBM11N4735BB 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動(dòng)態(tài)RAM模塊)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IBM14H5540 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述:
IBM17R8251 制造商:AVED Memory Products 功能描述:
IBM17R8252 制造商:AVED Memory Products 功能描述:
IBM1805T 制造商:Schneider Electric 功能描述:IBM1805T
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