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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBM11N2735H |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 2M x 72 DRAM Module(2M x 72 動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 72內(nèi)存（2米× 72動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/31頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 566K |
| 代理商： | IBM11N2735H |
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IBM11N2645H
IBM11N2735H
2M x 64/72 DRAM MODULE
50H7623.E93788
Released 5/98
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
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EDO Page Mode Read Modify Write Cycle
Address
RAS
WE
OE
D
OUT
D
IN
D
IN
D
IN
t
RP
t
CP
t
CP
t
ASR
t
RAD
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RAH
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t
ASC
t
CAH
t
ASC
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CAH
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RCS
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WP
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CWL
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RWL
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ODD
t
ODD
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DH
t
DH
t
CLZ
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ODD
t
DH
D
IN
D
OUT
: “H” or “L”
Hi-Z
Hi-Z
t
RASP
t
CAS
t
HPRWC
t
CAS
t
RAL
t
AWD
t
CWD
t
AA
t
CPA
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AA
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AWD
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CWD
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t
AWD
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CWD
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RAC
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OEA
t
OEA
t
CAC
t
CAC
t
OEA
t
OEZ
t
OEZ
t
DS
t
DS
t
DS
Column 1
Row
Column 2
Column N
t
CSH
t
OEZ
V
IH
V
IL
V
IH
V
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IH
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IL
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OH
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OL
V
IH
V
IL
t
RCD
t
CAS
t
CRP
t
CPA
CAS
t
WRP
NOTE 1
t
WRH
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
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