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參數(shù)資料
| 型號： | IBM11N2735H |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 2M x 72 DRAM Module(2M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 200萬× 72內(nèi)存（2米× 72動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 5/31頁 |
| 文件大小： | 566K |
| 代理商： | IBM11N2735H |
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IBM11N2645H
IBM11N2735H
2M x 64/72 DRAM MODULE
50H7623.E93788
Released 5/98
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 5 of 31
Truth Table
Function
RAS
CAS
WE
OE
Row
Address
Column
Address
DQx
Standby
H
H
→
X
X
X
X
X
High Impedance
Read
Early-Write
L
L
L
L
H
L
L
X
Row
Row
Col
Col
Valid Data Out
Valid Data In
Late-Write
L
L
H
→
L
H
→
L
H
Row
Col
Valid Data In
RMW
L
L
L
→
H
Row
Col
Valid Data In/Out
EDO Page Mode - Read 1st Cycle
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
L
Row
Col
Valid Data Out
Subsequent Cycles
L
H
L
N/A
Col
Valid Data Out
EDO Page Mode - Write 1st Cycle
L
L
X
Row
Col
Valid Data In
Subsequent Cycles
L
L
X
N/A
Col
Valid Data In
EDO Page Mode - RMW 1st Cycle
L
H
→
L
H
→
L
L
→
H
L
→
H
Row
Col
Valid Data In/Out
Subsequent Cycles
L
N/A
Col
Valid Data In/Out
RAS-Only Refresh
L
H
X
X
Row
N/A
High Impedance
CAS-Before-RAS Refresh
H
→
L
L
H
X
X
X
High Impedance
Hidden Refresh
Read
L
→
H
→
L
L
H
L
Row
Col
Data Out
Write
L
→
H
→
L
L
H
X
Row
Col
Data In
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM11N4645BB | 4M x 64 DRAM Module(4M x 64 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N4645CB | 4M x 64 DRAM Module(4M x 64 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N4735BB | 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N4735CB | 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N4845BB | 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯代碼保護(hù)的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM14H5481 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM14H5540 | 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8251 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8252 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM1805T | 制造商:Schneider Electric 功能描述:IBM1805T |
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