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參數(shù)資料
| 型號： | IBM11N4645BB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 64 DRAM Module(4M x 64 動態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 4米× 64內(nèi)存（4米× 64動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 14/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | IBM11N4645BB |
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IBM11N4645BB
IBM11N4645CB
4M x 64/72 DRAM Module
IBM11N4735BB
IBM11N4735CB
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 14 of 31
50H8036. E22441E
Revised 5/98
Read Cycle
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Address
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
OE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
D
OUT
V
OH
V
OL
D
IN
Row
Column
Valid Data Out
t
RAS
t
RP
t
RC
t
CAS
t
CSH
t
CRP
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
ASR
t
RAD
t
RCS
t
DZC
t
CLZ
t
CAC
t
RAC
Hi-Z
Hi-Z
t
RRH
: “H”: or “L”
t
RCD
t
OEZ
Hi-Z
t
RSH
t
RAL
t
DZO
t
AA
t
OEA
CAS
t
ODD
t
CDD
t
RCH
t
OFF
t
WRP
t
WRH
NOTE 1
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
t
OES
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM11N4645CB | 4M x 64 DRAM Module(4M x 64 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N4735BB | 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N4735CB | 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N4845BB | 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯代碼保護的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N4845CB | 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯代碼保護的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IBM14H5540 | 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8251 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8252 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM1805T | 制造商:Schneider Electric 功能描述:IBM1805T |
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