參數(shù)資料
型號： IBM11N4645BB
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 4M x 64 DRAM Module(4M x 64 動態(tài)RAM模塊)
中文描述： 4米× 64內(nèi)存（4米× 64動態(tài)內(nèi)存模塊）
文件頁數(shù)： 21/31頁
文件大?。?/td> 585K
代理商： IBM11N4645BB
IBM11N4645BB
IBM11N4645CB
IBM11N4735BB
IBM11N4735CB
4M x 64/72 DRAM Module
50H8036.E22441E
Revised 5/98
IBM Corporation. All rights reserved.
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Page 21 of 31
EDO Page Mode Early Write Cycle
t
HCAS
t
RP
RAS
Row
Address
WE
Column 1
Column 2
Column N
Data In 1
Data In 2
Data In N
t
ASR
t
RAH
t
CAH
t
WCH
t
DH
D
IN
t
RASP
t
RSH
t
HCAS
t
HCAS
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HPC
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RAD
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ASC
t
ASC
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CSH
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ASC
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CAH
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WCH
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WCS
t
WCH
t
WCS
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WCS
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DS
t
DS
t
DH
t
DH
t
DS
: “H” or “L”
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
WP
t
WP
OE = Don’t care
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
RCD
t
CP
t
CP
t
CRP
CAS
t
WRP
NOTE 1
t
WRH
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
t
RAL
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBM11N4645CB 4M x 64 DRAM Module(4M x 64 動態(tài)RAM模塊)
IBM11N4735BB 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動態(tài)RAM模塊)
IBM11N4735CB 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動態(tài)RAM模塊)
IBM11N4845BB 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯代碼保護(hù)的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊)
IBM11N4845CB 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯代碼保護(hù)的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊)
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