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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBM11N4645BB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 64 DRAM Module(4M x 64 動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 4米× 64內(nèi)存（4米× 64動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 23/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | IBM11N4645BB |
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IBM11N4645BB
IBM11N4645CB
IBM11N4735BB
IBM11N4735CB
4M x 64/72 DRAM Module
50H8036.E22441E
Revised 5/98
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 23 of 31
EDO Page Mode Read Modify Write Cycle
Address
RAS
WE
OE
D
OUT
D
IN
D
IN
D
IN
t
RP
t
CP
t
CP
t
ASR
t
RAD
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RAH
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CAH
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ASC
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ASC
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RCS
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WP
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CLZ
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ODD
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DH
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DH
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CLZ
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ODD
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DH
D
IN
D
OUT
: “H” or “L”
Hi-Z
Hi-Z
t
RASP
t
CAS
t
HPRWC
t
CAS
t
RAL
t
AWD
t
CWD
t
AA
t
CPA
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AA
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AWD
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CWD
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RWD
t
AWD
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CWD
t
RCS
t
RAC
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AA
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OEA
t
OEA
t
CAC
t
CAC
t
OEA
t
OEZ
t
OEZ
t
DS
t
DS
t
DS
Column 1
Row
Column 2
Column N
t
CSH
t
OEZ
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
t
RCD
t
CAS
t
CRP
t
CPA
CAS
t
WRP
NOTE 1
t
WRH
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM11N4645CB | 4M x 64 DRAM Module(4M x 64 動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N4735BB | 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N4735CB | 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N4845BB | 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯(cuò)代碼保護(hù)的小外形雙列直插動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N4845CB | 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯(cuò)代碼保護(hù)的小外形雙列直插動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM14H5481 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM14H5540 | 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8251 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8252 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM1805T | 制造商:Schneider Electric 功能描述:IBM1805T |
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