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參數(shù)資料
| 型號： | IBM11N4735BB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 4米× 72內(nèi)存（4米× 72動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 20/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | IBM11N4735BB |
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IBM11N4645BB
IBM11N4645CB
4M x 64/72 DRAM Module
IBM11N4735BB
IBM11N4735CB
IBM Corporation. All rights reserved.
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50H8036. E22441E
Revised 5/98
EDO Page Mode Read Cycle (WE Control)
t
RP
Data Out 1
Data Out 2
OE
WE
RAS
Row
Address
Column 1
Column 2
Column N
t
OEA
t
OEZ
t
CLZ
t
CAC
V
IH
V
IL
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
ASC
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CAH
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CAH
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D
OUT
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t
CRP
t
RSH
t
HCAS
t
HCAS
t
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t
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t
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CAC
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CPA
t
CPA
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AA
t
AA
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RAC
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AA
Hi-Z
: “H” or “L”
t
RAL
V
IH
V
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V
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V
IH
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IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
t
RCD
t
CP
t
CP
t
RRH
t
RCH
t
CAC
Data Out N
t
OFF
CAS
t
WRP
NOTE 1
t
WRH
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
t
OES
t
HCAS
t
WPZ
t
WPZ
t
RCH
t
RCS
t
RCS
t
RCH
t
WHZ
t
WHZ
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM11N4735CB | 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
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| IBM11N4845CB | 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯代碼保護的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊) |
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參數(shù)描述 |
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| IBM17R8252 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
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