- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379204 > IBM11N4845BB (IBM Microeletronics) 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯代碼保護(hù)的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IBM11N4845BB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯代碼保護(hù)的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 4米× 72片，殺死保護(hù)ECC的上內(nèi)存模塊（4米× 72帶糾錯代碼保護(hù)的小外形雙列直插動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 13/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 542K |
| 代理商： | IBM11N4845BB |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁當(dāng)前第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁
IBM11N4845BB
IBM11N4845CB
Preliminary
4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module
75H5485
GA14-4640-00
Revised 11/96
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 13 of 29
Write Cycle (Early Write)
t
RC
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Address
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
OE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
D
OUT
V
OH
V
OL
D
IN
Row
Column
t
RAS
t
RP
t
RCD
t
CSH
t
CRP
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
ASR
t
RAD
t
WCS
Hi-Z
: “H” or “L”
Valid Data In
t
WCH
t
DS
t
DH
t
CAS
t
RSH
t
WP
CAS
t
WRP
t
WRH
NOTE 1
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM11N4845CB | 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯代碼保護(hù)的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8645B | 8M x 64 DRAM MODULE(8M x 64動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8645C | 8M x 64 DRAM MODULE(8M x 64動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8735B | 8M x 72 DRAM MODULE(8M x 72動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8735C | 8M x 72 DRAM MODULE(8M x 72動態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM14H5481 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM14H5540 | 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8251 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8252 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM1805T | 制造商:Schneider Electric 功能描述:IBM1805T |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。