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參數(shù)資料
| 型號： | IBM11N8645C |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 8M x 64 DRAM MODULE(8M x 64動態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 8米× 64 DRAM模塊（8米× 64動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 22/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 626K |
| 代理商： | IBM11N8645C |
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IBM11N8645B
IBM11N8645C
8M x 64/72 DRAM MODULE
IBM11N8735B
IBM11N8735C
IBM Corporation. All rights reserved.
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75H1747
SA14-4624-04
Revised 3/97
EDO Page Mode Late Write Cycle
t
HCAS
t
RP
RAS
Row
Address
WE
Column 1
Column 2
Column N
OE
Data In 1
Data In 2
Data In N
t
ASR
t
RAH
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ASC
t
ASC
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ASC
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CAH
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CAH
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D
IN
: “H” or “L”
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Hi-Z
V
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V
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RCD
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CP
t
CP
t
CRP
t
RAD
t
RCS
t
RCS
t
RCS
t
RWL
CAS
t
WRP
NOTE 1
t
WRH
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM11N8735B | 8M x 72 DRAM MODULE(8M x 72動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8735C | 8M x 72 DRAM MODULE(8M x 72動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8645H | 8M x 64 DRAM Module(8M x 64 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8735H | 8M x 72 DRAM Module(8M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8845HB | 8M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(8M x 72 帶糾錯代碼保護的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IBM14H5481 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM14H5540 | 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8251 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8252 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM1805T | 制造商:Schneider Electric 功能描述:IBM1805T |
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