參數(shù)資料
型號： IBM11N8845HB
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 8M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(8M x 72 帶糾錯代碼保護的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊)
中文描述： 8米× 72片，殺死保護ECC的上內(nèi)存模塊（8米× 72帶糾錯代碼保護的小外形雙列直插動態(tài)內(nèi)存模塊）
文件頁數(shù)： 13/29頁
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代理商： IBM11N8845HB
IBM11N8845HB
Preliminary
8M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module
75H5486
GA14-4641-00
Revised 11/96
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
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Write Cycle (Early Write)
t
RC
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V
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Address
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IN
Row
Column
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RCD
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CSH
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ASC
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CAH
t
ASR
t
RAD
t
WCS
Hi-Z
: “H” or “L”
Valid Data In
t
WCH
t
DS
t
DH
t
CAS
t
RSH
t
WP
CAS
t
WRP
t
WRH
NOTE 1
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
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PDF描述
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IBM13M32734BCD 32M x 72 2-Bank Registered/Buffered SDRAM Module(32M x 72 2組寄存/緩沖同步動態(tài)RAM模塊)
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