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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBM13Q4739CC |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 72 Registered SDRAM Module(帶寄存同步動(dòng)態(tài)RAM模塊（4M x 72高速存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)）) |
| 中文描述： | 4米× 72注冊(cè)內(nèi)存模塊（帶寄存同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊（4米× 72高速存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)）） |
| 文件頁數(shù)： | 28/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 1471K |
| 代理商： | IBM13Q4739CC |
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IBM13Q4739CC
4M x 72 Registered SDRAM Module
IBM Corporation. All rights reserved.
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Page 28 of 56
08J0512.E24526
Released 4/98
Clock and Clock Enable Parameters
Symbol
Parameter
Value
Units
Notes
Min.
Max.
t
CK2
Clock Cycle Time
15
66MHz
ns
t
AC2
Clock Access Time
—
11.3
ns
1, 2
t
CH
Clock High Pulse Width
6.0
—
ns
t
CL
Clock Low Pulse Width
6.0
—
ns
t
CKS
Clock Enable Set-up Time
2.3
—
ns
t
CKH
Clock Enable Hold Time
1.3
—
ns
t
CKSP
CKE0 Set-up Time (Power down mode)
2.3
—
ns
t
T
Transition Time (Rise and Fall)
1.4
30
ns
t
STAB
PLL Stabilization Time
50
—
μ
s
1. CAS latency defined at SDRAMs; DIMM actually has CAS latency of 3.
2. 50pF Load.
Common Parameters
Symbol
Parameter
Value
Units
t
S0
Command Setup Time
2.3
—
ns
t
CH
Command Hold Time
1.3
—
ns
t
AS
Address and Bank Select Set-up Time
2.3
—
ns
t
AH
Address and Bank Select Hold Time
1.3
—
ns
t
RCD
RAS to CAS Delay
30
—
ns
t
RC
Bank Cycle Time
90
120000
ns
t
RAS
Active Command Period
60
120000
ns
t
RP
Precharge Time
30
—
ns
t
RRD
Bank to Bank Delay Time
20
—
ns
t
CCD
CAS to CAS Delay Time (Same Bank)
1
—
CK0
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PDF描述 |
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