- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379206 > IBMN312804CT3 (IBM Microeletronics) 128Mb(4Mbit x 8 I/O x 4 Bank) Synchronous DRAM(128M位(4M位 x 8 I/O x 4 組)同步動(dòng)態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBMN312804CT3 |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 128Mb(4Mbit x 8 I/O x 4 Bank) Synchronous DRAM(128M位(4M位 x 8 I/O x 4 組)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128Mb的（的4Mb × 8的I / O × 4行）同步DRAM（128兆位（4分位× 8的I / O × 4組）同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1696K |
| 代理商： | IBMN312804CT3 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)當(dāng)前第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)
IBMN312164CT3
IBMN312404CT3
128Mb Synchronous DRAM - Die Revision B
IBMN312804CT3
Preliminary
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 12 of 66
06K7582.H03335A
10/00
Read Interrupted by a Write
To interrupt a burst read with a Write Command, DQM may be needed to place the DQs (output drivers) in a
high impedance state to avoid data contention on the DQ bus. If a Read Command will issue data on the first
or second clocks cycles of the write operation, DQM is needed to insure the DQs are tri-stated. After that
point the Write Command will have control of the DQ bus.
Minimum Read to Write Interval
COMMAND
NOP
NOP
READ A
WRITE A
NOP
NOP
NOP
DQM
DIN A
0
DIN A
1
DIN A
2
DIN A
3
: “H” or “L”
DIN A
0
DIN A
1
DIN A
2
DIN A
3
t
CK2
,
DQs
CAS latency = 2
t
CK3
,
DQs
CAS latency = 3
CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
DQM high for CAS latency = 2 only.
Required to mask first bit of READ data.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBMN312164CT3 | 128Mb(8Mbit x 4 I/O x 4 Bank) Synchronous DRAM(128M位(8M位 x 4 I/O x 4 組)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| IBMN325404CT3 | 256Mb（4Mbit x 16 I/O x 4 Bank） Synchronous DRAM(256M位（4M位 x 16 I/O x 4 組）同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| IBMN325804CT3 | 256Mb（8Mbit x 8 I/O x 4 Bank） Synchronous DRAM(256M位（8M位 x 8 I/O x 4 組）同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| IBMN325164CT3 | 256Mb（16Mbit x 4 I/O x 4 Bank） Synchronous DRAM(256M位（16M位 x 4 I/O x 4 組）同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| IBMN612404GT3B | 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBMN364164CT3C360 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBMPPC403GAJC33C1 | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBMPPC750CLGEQ4023 | 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 400MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays |
| IBMPPC750CLGEQ5023 | 制造商:IBM Microelectronics 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 500MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays |
| IBMPPC750CLGEQA033 | 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 1GHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays 制造商:IBM 功能描述:IBMIBMPPC750CLGEQA033 CPU PPC 750CL 1GHZ |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。