參數(shù)資料
型號: IBMN312804CT3
廠商: IBM Microeletronics
英文描述: 128Mb(4Mbit x 8 I/O x 4 Bank) Synchronous DRAM(128M位(4M位 x 8 I/O x 4 組)同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 128Mb的(的4Mb × 8的I / O × 4行)同步DRAM(128兆位(4分位× 8的I / O × 4組)同步動(dòng)態(tài)RAM)的
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代理商: IBMN312804CT3
IBMN312164CT3
IBMN312804CT3
IBMN312404CT3
Preliminary
128Mb Synchronous DRAM - Die Revision B
06K7582.H03335A
10/00
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Block Diagram
DQ
0
DQ
X
D
CKE Buffer
CLK Buffer
CKE
CLK
CS
RAS
CAS
DQM
WE
C
M
C
C
A
C
R
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A11
BS0
A10
A0
Sense Amplifiers
Memory Bank 1
Cell Array
R
A
Column Decoder
Sense Amplifiers
Memory Bank 3
Cell Array
R
Column Decoder
Sense Amplifiers
Memory Bank 0
Cell Array
R
Column Decoder
Sense Amplifiers
Memory Bank 2
Cell Array
R
Column Decoder
D
BS1
C
G
Cell Array, per bank, for 8Mb x 4 DQ: 4096 Row x 2048 Col x 4 DQ (DQ0-DQ3).
Cell Array, per bank, for 4Mb x 8 DQ: 4096 Row x 1024 Col x 8 DQ (DQ0-DQ7).
Cell Array, per bank, for 2Mb x 16 DQ: 4096 Row x 512 Col x 16 DQ (DQ0-DQ15).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBMN312164CT3 128Mb(8Mbit x 4 I/O x 4 Bank) Synchronous DRAM(128M位(8M位 x 4 I/O x 4 組)同步動(dòng)態(tài)RAM)
IBMN325404CT3 256Mb(4Mbit x 16 I/O x 4 Bank) Synchronous DRAM(256M位(4M位 x 16 I/O x 4 組)同步動(dòng)態(tài)RAM)
IBMN325804CT3 256Mb(8Mbit x 8 I/O x 4 Bank) Synchronous DRAM(256M位(8M位 x 8 I/O x 4 組)同步動(dòng)態(tài)RAM)
IBMN325164CT3 256Mb(16Mbit x 4 I/O x 4 Bank) Synchronous DRAM(256M位(16M位 x 4 I/O x 4 組)同步動(dòng)態(tài)RAM)
IBMN612404GT3B 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM(采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)))
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參數(shù)描述
IBMN364164CT3C360 制造商:IBM 功能描述:*
IBMPPC403GAJC33C1 制造商:IBM 功能描述:
IBMPPC750CLGEQ4023 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 400MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays
IBMPPC750CLGEQ5023 制造商:IBM Microelectronics 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 500MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays
IBMPPC750CLGEQA033 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 1GHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays 制造商:IBM 功能描述:IBMIBMPPC750CLGEQA033 CPU PPC 750CL 1GHZ