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參數(shù)資料
| 型號： | IBMN325164CT3 |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 256Mb（16Mbit x 4 I/O x 4 Bank） Synchronous DRAM(256M位（16M位 x 4 I/O x 4 組）同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256Mb的（16兆× 4的I / O × 4行）同步DRAM（256M位（1,600位× 4的I / O × 4組）同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 34/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 1699K |
| 代理商： | IBMN325164CT3 |
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IBMN325164CT3
IBMN325404CT3
256Mb Synchronous DRAM - Die Revision B
IBMN325804CT3
Preliminary
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 34 of 66
06K0608.F39375A
10/00
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Rating
Units
Notes
V
DD
Power Supply Voltage
-0.3 to +4.6
V
1
V
DDQ
Power Supply Voltage for Output
-0.3 to +4.6
V
1
V
IN
Input Voltage
-0.3 to V
DD
+0.3
V
1
V
OUT
Output Voltage
-0.3 to V
DD
+0.3
V
1
T
A
Operating Temperature (ambient)
0 to +70
°
C
1
T
STG
Storage Temperature
-55 to +125
°
C
1
P
D
Power Dissipation
1.0
W
1
I
OUT
Short Circuit Output Current
50
mA
1
1. Stresses greater than those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a
stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reli-
ability.
Recommended DC Operating Conditions
(T
A
= 0
°
C to 70
°
C)
Symbol
Parameter
Rating
Units
Notes
Min.
Typ.
Max.
V
DD
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
1
V
DDQ
Supply Voltage for Output
3.0
3.3
3.6
V
1
V
IH
Input High Voltage
2.0
—
V
DD
+ 0.3
V
1, 2
V
IL
Input Low Voltage
-0.3
—
0.8
V
1, 3
1. All voltages referenced to V
SS
and V
SSQ
.
2. V
IH
(max) = V
DD
+ 1.2V for pulse width
≤
5ns.
3. V
IL
(min) = V
SS
- 1.2V for pulse width
≤
5ns.
Capacitance
(T
A
= 25
°
C, f = 1MHz, V
DD
= 3.3V
±
0.3V)
Symbol
Parameter
Min.
Typ
Max.
Units
Notes
C
I
Input Capacitance (A0-A12, BA0, BA1, CS, RAS, CAS, WE, CKE, DQM)
2.5
3.0
3.8
pF
1
Input Capacitance (CK)
2.5
2.8
3.5
pF
1
C
O
Output Capacitance (DQ0 - DQ15)
4.0
4.5
6.5
pF
1
1. Multiply given planar values by 2 for 2-High stacked device except CS and CKE.
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