參數(shù)資料
型號(hào)： IBMN325164CT3
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 256Mb（16Mbit x 4 I/O x 4 Bank） Synchronous DRAM(256M位（16M位 x 4 I/O x 4 組）同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 256Mb的（16兆× 4的I / O × 4行）同步DRAM（256M位（1,600位× 4的I / O × 4組）同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 39/66頁(yè)
文件大小： 1699K
代理商： IBMN325164CT3
IBMN325164CT3
IBMN325804CT3
IBMN325404CT3
Preliminary
256Mb Synchronous DRAM - Die Revision B
06K0608.F39375A
10/00
IBM Corporation. All rights reserved.
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Page 39 of 66
Read Cycle
Symbol
Parameter
-75H
-75D
-75A
-260
-360
-10
Units Notes
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max.
t
OH
Data Out Hold Time
—
—
—
—
—
—
2.5
—
2.5
—
3
—
ns
1
2.7
—
2.7
—
2.7
—
3
—
3
—
3
—
ns
2, 4
t
LZ
Data Out to Low Impedance Time
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
t
HZ3
Data Out to High Impedance Time
3
5.4
3
5.4
3
5.4
3
6
3
6
3
7
ns
3
t
HZ2
Data Out to High Impedance Time
3
5.4
—
—
—
—
3
6
3
8
3
8
ns
3
t
DQZ
DQM Data Out Disable Latency
2
—
2
—
2
—
2
—
2
—
2
—
CK
1. AC Output Load Circuit A.
2. AC Output Load Circuit B.
3. Referenced to the time at which the output achieves the open circuit condition, not to output voltage levels.
4. Data Out Hold Time with no load must meet 1.8ns (-75H, -75D, -75A).
Refresh Cycle
Symbol
Parameter
-75H
-75D
-75A
-260
-360
-10
Units Notes
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max.
t
REF
Refresh Period
—
64
—
64
—
64
—
64
—
64
—
64
ms
1
t
SREX
Self Refresh Exit Time
10
—
10
—
10
—
10
—
10
—
10
—
ns
t
RFC
Bank Cycle Time (Auto Refresh)
67.5
67.5
67.5
70
70
84
ns
2
1. 8192 auto refresh cycles.
2. These parameters account for the number of clock cycles and depend on the operating frequency of the clock, as follows; the num-
ber of clock cycles = specified value of timing/clock period (count fractions as a whole number).
Write Cycle
Symbol
Parameter
-75H
-75D
-75A
-260
-360
-10
Units
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max.
t
DS
Data In Set-up Time
1.5
—
1.5
—
1.5
—
2
—
2
—
3
—
ns
t
DH
Data In Hold Time
0.8
—
0.8
—
0.8
—
1
—
1
—
1
—
ns
t
DPL
Data input to Precharge
15
—
15
—
15
—
20
—
20
—
20
—
ns
t
DAL3
Data In to Active Delay
CAS Latency = 3
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
CK
t
DAL2
Data In to Active Delay
CAS Latency = 2
5
—
—
—
—
—
5
—
5
—
3
—
CK
t
DQW
DQM Write Mask Latency
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
CK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBMN612404GT3B 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）)
IBMN612804GT3B 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）)
IBMN625404GT3B 256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(256M位雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM)
IBMN625804GT3B 256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(256M位雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM)
ICM7321 SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IBMN364164CT3C360 制造商:IBM 功能描述:*
IBMPPC403GAJC33C1 制造商:IBM 功能描述:
IBMPPC750CLGEQ4023 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 400MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays
IBMPPC750CLGEQ5023 制造商:IBM Microelectronics 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 500MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays
IBMPPC750CLGEQA033 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 1GHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays 制造商:IBM 功能描述:IBMIBMPPC750CLGEQA033 CPU PPC 750CL 1GHZ
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