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參數(shù)資料
| 型號： | IBMN612404GT3B |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）) |
| 中文描述： | 128Mb的雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM（128兆位高速的CMOS同步動態(tài)隨機(jī)存儲器（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）） |
| 文件頁數(shù)： | 28/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 1324K |
| 代理商： | IBMN612404GT3B |
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IBMN612404GT3B
IBMN612804GT3B
128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM
Preliminary
IBM Corporation. All rights reserved.
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Page 28 of 79
06K0566.F39350B
1/01
Read to Write: CAS Latencies (Burst Length = 4 or 8)
CAS Latency = 2
BST
NOP
Write
NOP
NOP
Read
DI a-b
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
DOa-n
DO a-n = data out from bank a, column n
.DI a-b = data in to bank a, column b
1 subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-n.
Data In elements are applied following Dl a-b in the programmed order, according to burst length.
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
Don’t Care
BAa, COL n
BAa, COL b
CL=2
t
DQSS
(min)
CAS Latency = 2.5
BST
NOP
NOP
Write
NOP
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
DOa-n
BAa, COL n
BAa, COL b
CL=2.5
t
DQSS
(min)
Dla-b
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBMN612804GT3B | 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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