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參數(shù)資料
| 型號： | IBMN612404GT3B |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）) |
| 中文描述： | 128Mb的雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM（128兆位高速的CMOS同步動態(tài)隨機存儲器（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）） |
| 文件頁數(shù)： | 35/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 1324K |
| 代理商： | IBMN612404GT3B |
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IBMN612404GT3B
IBMN612804GT3B
Preliminary
128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM
06K0566.F39350B
1/01
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 35 of 79
Random Write Cycles (Burst Length = 2, 4 or 8)
T1
T2
T3
T4
T5
t
DQSS
(max)
Maximum D
QSS
Write
Write
Write
Write
Write
DI a-b
DI a-n
DI a-b, etc. = data in for bank a, column b, etc.
b', etc. = odd or even complement of b, etc. (i.e., column address LSB inverted).
Each Write command may be to any bank.
DI a-b’
DI a-x
DI a-x’
DI a-n’
DI a-a
DI a-a’
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BAa, COL b
BAa, COL x
BAa, COL n
BAa, COL a
BAa, COL g
T1
T2
T3
T4
T5
Minimum D
QSS
Write
Write
Write
Write
Write
DI a-b
DI a-n
DI a-b’
DI a-x
DI a-x’
DI a-n’
DI a-a
DI a-a’
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
BAa, COL b
BAa, COL x
BAa, COL n
BAa, COL a
BAa, COL g
t
DQSS
(min)
DI a-g
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBMN612804GT3B | 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）) |
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| IBMN625804GT3B | 256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(256M位雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)RAM) |
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| ICM7321M | SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IBMPPC750CLGEQ5023 | 制造商:IBM Microelectronics 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 500MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays |
| IBMPPC750CLGEQA033 | 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 1GHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays 制造商:IBM 功能描述:IBMIBMPPC750CLGEQA033 CPU PPC 750CL 1GHZ |
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