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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBMN612404GT3B |
| 廠(chǎng)商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）) |
| 中文描述： | 128Mb的雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM（128兆位高速的CMOS同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 41/79頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1324K |
| 代理商： | IBMN612404GT3B |
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IBMN612404GT3B
IBMN612804GT3B
Preliminary
128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM
06K0566.F39350B
1/01
IBM Corporation. All rights reserved.
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Write to Precharge: Interrupting (Burst Length = 4 or 8)
DI a-b = data in for bank a, column b.
An interrupted burst is shown, 2 data elements are written.
1 subsequent element of data in is applied in the programmed order following DI a-b.
t
WR
is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair.
The Precharge command masks the last 2 data elements in the burst, for burst length = 8.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
1 = Can be don't care for programmed burst length of 4.
2 = For programmed burst length of 4, DQS becomes don't care at this point.
3 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
Don’t Care
T1
T2
T3
T4
T5
T6
NOP
NOP
NOP
PRE
Write
NOP
CK
CK
Command
Address
Maximum D
QSS
DI a-b
1
1
2
DQS
DQ
DM
t
DQSS
(max)
t
RP
T1
T2
T3
T4
T5
T6
NOP
NOP
NOP
PRE
Write
NOP
CK
CK
Command
Address
BA a, COL b
BA (a or all)
Minimum D
QSS
t
WR
t
RP
DI a-b
1
1
DQS
DQ
DM
t
DQSS
(min)
2
BA a, COL b
BA (a or all)
t
WR
3
3
3
3
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