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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBMN612404GT3B |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）) |
| 中文描述： | 128Mb的雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM（128兆位高速的CMOS同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 54/79頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1324K |
| 代理商： | IBMN612404GT3B |
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IBMN612404GT3B
IBMN612804GT3B
128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM
Preliminary
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06K0566.F39350B
1/01
5. The full variation in the ratio of the maximum to minimum pullup and pulldown current will
1.7, for device drain to source voltages from 0.1 to 1.0.
6. The full variation in the ratio of the “typical” IBIS pullup to “typical” IBIS pulldown current should be unity +
10%, for device drain to source voltages from 0.1 to 1.0. This specification is a design objective only. It is
not guaranteed.
7. These characteristics are intended to obey the SSTL_2 class II standard.
8. This specification is intended for DDR SDRAM only.
not exceed
Normal Strength Driver Pullup Characteristics
Maximum
Typical High
Typical Low
Minimum
V
OUT
(V)
2.7
0
0
-200
I
O
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